特許
J-GLOBAL ID：200903010335244932
分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-000295
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204114
出願日： 2002年01月07日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 回折格子に位相シフト部を有するDFB-LDにおいて、伝送特性を支配する素子パラメータである回折格子結合係数・素子長積κL及び発振波長の利得ピークからのデチューニング量Δλの範囲を限定することにより、直接変調時の波形チャーピングを抑制できるようにする。【解決手段】 半導体レーザの共振器を共振器長さ方向に領域1と領域2の二つの領域に分け、領域1と領域2の光ガイド層に同周期の回折格子を形成し、この二つの領域の間に位相シフト量λ/n(16>n>4)の位相シフト部を設ける。κL及びΔλは、κL+ξΔλ≧σ(0.06nm≧ξ≧0.04nm-1、5.0≧σ≧3.0)の関係式を満足するようにする。ξとσは、Δλ-κL平面において、伝送特性のよい素子と伝送特性の悪い素子とを概略分ける直線:κL+ξΔλ=σから求まる定数。
請求項（抜粋）：
回折格子により光帰還を行う分布帰還型半導体レーザにおいて、共振器が、共振器長さ方向に第1領域と第2領域の二つの領域に分けられ、前記第1領域および前記第2領域の光ガイド層に同周期の回折格子構造が形成され、前記第1領域と前記第2領域の間で光ガイド層の周期構造位相がλ/n(λは発振波長、単位はnm、16>n>4)相当量シフトされ、かつ、回折格子の結合係数・素子長積κLおよび発振波長の利得ピークからのデチューニング量Δλ(Δλ=λg-λ、λgは利得ピーク波長、単位はnm)はκL+ξΔλ≧σ(0.06nm-1≧ξ≧0.04nm-1、5.0≧σ≧3.0)の関係式を満足することを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S 5/12
, H01S 5/227
, H01S 5/34
H01S 5/12
, H01S 5/227
, H01S 5/34
5F073AA13
, 5F073AA22
, 5F073AA45
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073BA02
, 5F073CA12
, 5F073CB02
, 5F073EA15
, 5F073EA27
