特許
J-GLOBAL ID：200903010428930917
多層型感光材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-254535
公開番号（公開出願番号）：特開2001-133977
出願日： 2000年08月24日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 200nm以下の微細なレジストパターンの形成に際し、優れた感度、解像性に加え、エッジラフネスの少ない良好な断面形状のレジストパターンを与える二層の多層型感光材料及びT型形状断面の発生が抑制され、かつ裾ひきがなくエッジラフネスの少ない良好な断面形状のレジストパターンを与える三層の多層型感光材料を提供する。【解決手段】 基板上に厚さ30〜300nmの非水溶性反射防止層を設け、その上に厚さ200〜500nmのネガ型レジスト層を設け、必要に応じてさらにネガ型レジスト層の上に水溶性反射防止層を設けた多層型感光材料であって、前記ネガ型レジスト層が、(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)放射線の照射により酸を発生するオニウム塩及び(C)ヒドロキシアルキル基及び低級アルコキシアルキル基から選ばれる少なくとも1個の架橋形成基によりN位が置換されたグリコールウリルを、(A)成分100質量部当り(B)成分0.5〜20質量部、(C)成分3〜50質量部の割合で含有した感光材料とする。
請求項（抜粋）：
基板上に厚さ30〜300nmの非水溶性反射防止層を設け、その上に厚さ200〜500nmのネガ型レジスト層を設けた多層型感光材料であって、前記ネガ型レジスト層が、(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)放射線の照射により酸を発生するオニウム塩及び(C)ヒドロキシアルキル基及び低級アルコキシアルキル基から選ばれる少なくとも1個の架橋形成基によりN位が置換されたグリコールウリルを、(A)成分100質量部当り(B)成分0.5〜20質量部、(C)成分3〜50質量部の割合で含有することを特徴とする感光材料。
IPC (13件)：
G03F 7/038 601
, C08K 5/00
, C08K 5/09
, C08K 5/095
, C08K 5/17
, C08K 5/3415
, C08K 5/42
, C08K 5/521
, C08L101/14
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/11 503
, H01L 21/027
G03F 7/038 601
, C08K 5/00
, C08K 5/09
, C08K 5/095
, C08K 5/17
, C08K 5/3415
, C08K 5/42
, C08K 5/521
, C08L101/14
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/11 503
, H01L 21/30 502 R
