特許
J-GLOBAL ID：200903011387566152
発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-389922
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142515
出願日： 2003年11月19日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】 これまで全面的に除去されていた発光層部成長用のGaAs基板を、機能的素子構成要素として有効利用することができ、しかも、発光光束の外部への取出効率も大幅に高めることができる発光素子を提供する。【解決手段】 発光素子100において、発光層部24を有した化合物半導体層40は、光吸収性化合物半導体基板の第一主表面上にエピタキシャル成長されたものである。該GaAs基板の周縁部が切り欠かれることにより切欠き部1jが形成され、当該切欠き部1jの周縁に残された基板部分が残留基板部1とされている。切欠き部1jの底面は主光取出面EAを形成し、発光層部24に発光駆動電圧を印加するための光取出側電極9が残留基板部1の第二主表面を覆うように形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
AlGaInPからなる発光層部を有した主化合物半導体層をGaAs基板の第一主表面上にエピタキシャル成長し、前記GaAs基板の一部が前記主化合物半導体層の第二主表面上への残留基板部となるように、該GaAs基板の一部を切り欠いて切欠き部を形成し、該切欠き部の底面を主光取出面として利用するとともに、該切欠きの結果として形成される前記残留基板部の第二主表面に、前記発光層部へ発光駆動電圧を印加するための光取出側電極を形成したことを特徴とする発光素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 B
, H01L33/00 E
5F041AA03
, 5F041AA42
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F041CA83
, 5F041CA85
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CB11
, 5F041CB15
, 5F041CB29
, 5F041DA02
, 5F041DA07
, 5F041DA12
, 5F041DA18
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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