特許
J-GLOBAL ID：200903011711450855
発光ダイオード及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-289417
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103538
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】透明電極による優れた光取りだし効率と、低い接触抵抗とを両立可能な発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】発光層と、前記発光層の上に設けられ、化合物からなるn型コンタクト層と、前記n型コンタクト層の上に設けられ、前記化合物を構成するいずれかの元素の組成比が前記化合物における前記元素の組成比よりも高い組成変調層と、前記組成変調層の上に設けられた透明電極と、を備えたことを特徴とする発光ダイオードが提供される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
発光層と、
前記発光層の上に設けられ、化合物からなるn型コンタクト層と、
前記n型コンタクト層の上に設けられ、前記化合物を構成するいずれかの元素の組成比が前記化合物における前記元素の組成比よりも高い組成変調層と、
前記組成変調層の上に設けられた透明電極と、
を備えたことを特徴とする発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F041AA24
, 5F041CA12
, 5F041CA22
, 5F041CA39
, 5F041CA74
, 5F041CA86
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA98
, 5F041CB36
出願人引用 (9件)
-
発光素子及び発光素子の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-259396
出願人：信越半導体株式会社, 株式会社ナノテコ
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-176795
出願人：株式会社東芝
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特開昭61-170776
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審査官引用 (10件)
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-176795
出願人：株式会社東芝
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特開昭61-170776
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特開昭61-170776
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