特許
J-GLOBAL ID:200903080904870527
発光ダイオード
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山崎 宏
, 前田 厚司
, 仲倉 幸典
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-265156
公開番号(公開出願番号):特開2006-080426
出願日: 2004年09月13日
公開日(公表日): 2006年03月23日
要約:
【課題】コンタクト層と透明電極とのオーミックコンタクトを容易に取ることができる発光ダイオードを提供する。【解決手段】発光ダイオードは、p型AlGaInP活性層15、透明電極用p型GaAsコンタクト層17およびITO透明電極110を備えている。このp型GaAsコンタクト層17のキャリア濃度は1.0×1019cm-3に設定されている。【選択図】図4
請求項(抜粋):
AlGaInPからなる発光層と、酸化インジウム錫からなる透明電極と、上記透明電極のためのコンタクト層とを備え、
上記コンタクト層のキャリア濃度が1.0×1019cm-3以上5.0×1019cm-3以下であることを特徴とする発光ダイオード。
IPC (2件):
FI (4件):
H01L33/00 B
, H01L33/00 E
, H01L21/28 A
, H01L21/28 301B
Fターム (24件):
4M104AA04
, 4M104AA07
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104DD22
, 4M104DD37
, 4M104DD78
, 4M104DD79
, 4M104DD83
, 4M104FF31
, 4M104GG04
, 4M104HH15
, 4M104HH16
, 5F041AA24
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA77
, 5F041CA88
, 5F041CA99
, 5F041CB15
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (12件)
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