特許
J-GLOBAL ID:200903080904870527

発光ダイオード

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  仲倉 幸典
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-265156
公開番号(公開出願番号):特開2006-080426
出願日: 2004年09月13日
公開日(公表日): 2006年03月23日
要約:
【課題】コンタクト層と透明電極とのオーミックコンタクトを容易に取ることができる発光ダイオードを提供する。【解決手段】発光ダイオードは、p型AlGaInP活性層15、透明電極用p型GaAsコンタクト層17およびITO透明電極110を備えている。このp型GaAsコンタクト層17のキャリア濃度は1.0×1019cm-3に設定されている。【選択図】図4
請求項(抜粋):
AlGaInPからなる発光層と、酸化インジウム錫からなる透明電極と、上記透明電極のためのコンタクト層とを備え、 上記コンタクト層のキャリア濃度が1.0×1019cm-3以上5.0×1019cm-3以下であることを特徴とする発光ダイオード。
IPC (2件):
H01L 33/00 ,  H01L 21/28
FI (4件):
H01L33/00 B ,  H01L33/00 E ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 301B
Fターム (24件):
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104DD83 ,  4M104FF31 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CA99 ,  5F041CB15
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (12件)
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