特許
J-GLOBAL ID:200903011738047009

電子線透過窓、その製造方法及び電子線照射装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-277376
公開番号(公開出願番号):特開2006-090873
出願日: 2004年09月24日
公開日(公表日): 2006年04月06日
要約:
【課題】 電子線透過率が高く且つ長寿命な電子線透過窓、その製造方法及び電子線照射装置を提供する。 【解決手段】 シリコン基板の一方の面上にダイヤモンド核を形成した後、化学気相成長法によりこのシリコン基板の一方の面上に、電子線透過膜としてダイヤモンド膜4を形成する。次に、シリコン基板の中央部に開口部を形成してダイヤモンド膜4の一方の面にシリコン支持枠2を形成する。その後、ダイヤモンド膜4の他方の面にシリコン支持枠2と共にダイヤモンド膜4の周辺部を挟むアルミニウム支持枠3を形成して、電子線透過窓1とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ダイヤモンドを主成分として電子線を透過する電子線透過膜と、前記電子線透過膜の周辺部を挟むようにその表面及び裏面に設けられた第1及び第2の支持枠と、を有することを特徴とする電子線透過窓。
IPC (3件):
G21K 5/00 ,  B01J 19/12 ,  G21K 5/04
FI (3件):
G21K5/00 W ,  B01J19/12 C ,  G21K5/04 E
Fターム (16件):
4G075AA01 ,  4G075BA10 ,  4G075BB10 ,  4G075CA39 ,  4G075EB32 ,  4G075EC21 ,  4G075EE12 ,  4G075EE23 ,  4G075FA01 ,  4G075FA11 ,  4G075FB01 ,  4G075FB02 ,  4G075FB03 ,  4G075FB20 ,  4G075FC09 ,  4G075FC11
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (11件)
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