特許
J-GLOBAL ID：200903012003911989
III族窒化物結晶の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-245838
公開番号（公開出願番号）：特開2009-073704
出願日： 2007年09月21日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：
【課題】非極性面を主面とする転位密度が低いIII族窒化物結晶の成長方法を提供する。【解決手段】本III族窒化物結晶の成長方法は、下地基板10を準備する工程を備え、下地基板10は一主面10mを有するIII族窒化物種結晶10aを含みかつ主面10mがIII族窒化物結晶の{1-100}面10cに対して0.1°以上10°以下の傾き角を有し、下地基板10の主面10mにIII族金属とアルカリ金属を含む溶媒3に窒素含有ガス5を溶解させた溶液を接触させて、下地基板10の主面10m上に第1のIII族窒化物結晶20をエピタキシャル成長させる工程をさらに備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下地基板を準備する工程を備え、前記下地基板は一主面を有するIII族窒化物種結晶を含みかつ前記主面がIII族窒化物結晶の{1-100}面に対して0.1°以上10°以下の傾き角を有し、
前記下地基板の前記主面にIII族金属とアルカリ金属を含む溶媒に窒素含有ガスを溶解させた溶液を接触させて、前記下地基板の前記主面上に第1のIII族窒化物結晶をエピタキシャル成長させる工程をさらに備えるIII族窒化物結晶の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C30B 19/12
, C30B 19/04
C30B29/38 D
, C30B19/12
, C30B19/04
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BE15
, 4G077CG01
, 4G077CG07
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EF01
, 4G077HA12
, 4G077QA01
, 4G077QA12
, 4G077QA71
, 4G077QA77
, 4G077QA79
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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