特許
J-GLOBAL ID：200903012987227080

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
大田 裕之

大田 裕之 について

, 
大越 克明

大越 克明 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-336269
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147597
出願日： 2006年12月13日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
【課題】微細化されたゲートを有するCMOSトランジスタにおいて、MOSトランジスタのチャネル不純物濃度を低く維持し、かつ短チャネル効果を抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1のゲート絶縁膜を介して形成され、対向する1対の側壁面上に1対の第1の側壁絶縁膜をそれぞれ担持する第1のゲート電極を有するNMOSトランジスタと、第2のゲート絶縁膜を介して形成され、対向する1対の側壁面上に1対の第2の側壁絶縁膜をそれぞれ担持する第2のゲート電極を有する、前記NMOSトランジスタとともに1対で用いられるPMOSトランジスタと、を備え、前記第2の側壁絶縁膜と前記シリコン基板との距離が、前記第1の側壁絶縁膜と前記シリコン基板との距離よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする半導体装置。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
シリコン基板に形成される第1のチャネル領域と、 前記シリコン基板上、前記第1のチャネル領域に対応して第1のゲート絶縁膜を介して形成され、対向する1対の側壁面上に1対の第1の側壁絶縁膜をそれぞれ担持する第1のゲート電極と、 前記シリコン基板中、前記第1のゲート電極の両側に前記第1のチャネル領域を挟んでそれぞれ形成された、第1のソース領域および第1のドレイン領域と、を有するNMOSトランジスタと、 前記シリコン基板に形成される第2のチャネル領域と、 前記シリコン基板上、前記第2のチャネル領域に対応して第2のゲート絶縁膜を介して形成され、対向する1対の側壁面上に1対の第2の側壁絶縁膜をそれぞれ担持する第2のゲート電極と、 前記シリコン基板中、前記第2のゲート電極の両側に前記第1のチャネル領域を挟んでそれぞれ形成された、第2のソース領域および第2のドレイン領域と、を有する、前記NMOSトランジスタとともに1対で用いられるPMOSトランジスタと、を備え、 前記第2の側壁絶縁膜と前記シリコン基板との距離が、前記第1の側壁絶縁膜と前記シリコン基板との距離よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L27/08 321E ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301S
Fターム (74件)：
5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BC15 ,  5F048BC18 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA05 ,  5F140AA21 ,  5F140AA24 ,  5F140AA30 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF40 ,  5F140BF42 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG29 ,  5F140BG32 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG44 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG54 ,  5F140BH05 ,  5F140BH06 ,  5F140BH13 ,  5F140BH14 ,  5F140BH27 ,  5F140BH35 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK09 ,  5F140BK10 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF00 ,  5F140CF04
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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