特許
J-GLOBAL ID：200903013064214586
絶縁膜形成用組成物、絶縁膜、およびその形成方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
大渕 美千栄
, 布施 行夫
, 井上 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-257373
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073889
出願日： 2004年09月03日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】本発明は、半導体素子などにおいて好適に用いられる膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る絶縁膜形成用組成物は、(A)ゼオライトのMFI構造を有し、前記MFI構造を構成するシロキサンの10員環によって形成される孔内に含窒素化合物が存在する、ポリオルガノシロキサン化合物と、(B)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物、および下記一般式(3) で表される化合物より選ばれる少なくとも1種のシラン化合物を、加水分解、縮合して得られる化合物と、(C)有機溶媒とを含有する。 Si(OR)4 ・・・・・(1) R1aSi(OR2)4-a・・・・・(2) R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(3)【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)ゼオライトのMFI構造を有し、前記M FI構造を構成するシロキサンの10員環によって形成される孔内に含窒素化合物が存在する、ポリオルガノシロキサン化合物と、
(B)下記一般式(1)で表される化合物(B-1)、下記一般式(2)で表される化合物(B-2)、および下記一般式(3) で表される化合物(B-3)より選ばれる少なくとも1種のシラン化合物を、加水分解、縮合して得られる化合物と、
Si(OR)4 ・・・・・(1)
R1aSi(OR2)4-a・・・・・(2)
〔式中、RおよびR2は1価の有機基を示し、R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、aは1〜2の整数を表す。〕
R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(3)
〔式中、R3,R4,R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を示し、dは0または1を示す。〕
(C)有機溶媒、
とを含有し、
前記(B)化合物は、前記化合物(B-1)、前記化合物(B-2)、および前記化合物(B-3)を、モル比において、
0.6≦[(B-2)+(B-3)]/[(B-1)+(B-2)+(B-3)]<1
の割合で、金属キレート化合物または酸触媒と水の存在下で反応させて得られ、かつ重量平均分子量が800〜10,000である加水分解縮合物である、絶縁膜形成用組成物。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (22件)：
5F058AA05
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AC06
, 5F058AD05
, 5F058AD07
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AG09
, 5F058AG10
, 5F058AH02
, 5F058BA08
, 5F058BA20
, 5F058BC03
, 5F058BC05
, 5F058BD05
, 5F058BD07
, 5F058BF46
, 5F058BH04
, 5F058BH17
, 5F058BH20
, 5F058BJ02
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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