特許
J-GLOBAL ID：200903013420900880

銅被覆ポリイミド基板とその製造方法

発明者：
竹之内 宏

竹之内 宏 について

, 
大滝 啓一

大滝 啓一 について


出願人/特許権者：
住友金属鉱山株式会社

住友金属鉱山株式会社 について


代理人 (1件)： 河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-310064
公開番号（公開出願番号）：特開2008-130585
出願日： 2006年11月16日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：
【課題】チップオンフィルム(COF)の折り曲げ実装時に求められる耐屈曲性において、MIT耐折性試験(JIS C 5016)により200回以上の折曲げ性が得られ、折曲げに対する耐久性に優れる半導体実装用の銅被覆ポリイミド基板とその製造方法を提供する。【解決手段】ポリイミドフィルム1の少なくとも片面に、スパッタリング法によってニッケル-クロム系合金層2及び銅層3を形成し、さらにその上に電気めっき法、或いは電気めっき法と無電解めっき法を併用する方法で銅皮膜4を形成してなる銅被覆ポリイミド基板において、前記銅皮膜4中の結晶の平均結晶粒径は、160〜700nmであることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、スパッタリング法によってニッケル-クロム系合金層及び銅層を形成し、さらにその上に電気めっき法、或いは電気めっき法と無電解めっき法を併用する方法で銅皮膜を形成してなる銅被覆ポリイミド基板において、 前記銅皮膜の平均結晶粒径は、160〜700nmであることを特徴とする銅被覆ポリイミド基板。
IPC (6件)：
H05K 3/18 ,  C25D 7/00 ,  C25D 3/38 ,  C23C 28/00 ,  B32B 15/088 ,  C25D 21/14
FI (7件)：
H05K3/18 B ,  C25D7/00 J ,  C25D3/38 101 ,  C23C28/00 A ,  B32B15/08 R ,  H05K3/18 G ,  C25D21/14 E
Fターム (52件)：
4F100AB13B ,  4F100AB16B ,  4F100AB17C ,  4F100AB17D ,  4F100AB31B ,  4F100AK49A ,  4F100BA04 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10D ,  4F100DE01D ,  4F100EH66B ,  4F100EH66C ,  4F100EH71D ,  4F100GB43 ,  4F100JA11D ,  4F100JK17 ,  4F100JL00 ,  4F100YY00D ,  4K023AA04 ,  4K023AA19 ,  4K023BA06 ,  4K023CA09 ,  4K023DA02 ,  4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024AB02 ,  4K024BA14 ,  4K024BB11 ,  4K024BC01 ,  4K024CA02 ,  4K024CA03 ,  4K024CB07 ,  4K024DA10 ,  4K024GA07 ,  4K044AA16 ,  4K044AB02 ,  4K044BA02 ,  4K044BA06 ,  4K044BB04 ,  4K044BC05 ,  4K044CA13 ,  4K044CA15 ,  4K044CA18 ,  5E343AA18 ,  5E343BB24 ,  5E343BB38 ,  5E343CC34 ,  5E343CC78 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343FF18 ,  5E343GG20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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