特許
J-GLOBAL ID：200903013810545623

キャパシタ用絶縁膜及びその形成方法、並びにキャパシタ及び半導体装置

発明者：
藤原 直憲

藤原 直憲 について


出願人/特許権者：
エルピーダメモリ株式会社

エルピーダメモリ株式会社 について


代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-136848
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283850
出願日： 2008年05月26日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：
【課題】大きな誘電率とリーク電流の抑制の両立が可能なキャパシタ用絶縁膜を提供する。【解決手段】電極1、2の間に絶縁膜3が挟まれた構造からなるキャパシタ素子において、キャパシタ用絶縁膜3は酸化アルミニウム膜と二酸化チタン膜が交互に積層された積層構造を有し、前記二酸化チタン膜は、ルチル結晶構造を有し、前記酸化アルミニウム膜は、そのトータルの膜厚の比率が、前記積層構造の総膜厚に対して3〜8%である、キャパシタ用絶縁膜。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化アルミニウム膜と二酸化チタン膜が交互に積層された積層構造を有し、 前記二酸化チタン膜は、ルチル結晶構造を有し、 前記酸化アルミニウム膜は、そのトータルの膜厚の比率が、前記積層構造の総膜厚に対して3〜8%である、キャパシタ用絶縁膜。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/40
FI (6件)：
H01L27/10 651 ,  H01L27/10 621C ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 621B ,  H01L21/316 X ,  C23C16/40
Fターム (39件)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA43 ,  4K030BA46 ,  4K030BB01 ,  4K030BB12 ,  4K030DA09 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BH01 ,  5F083AD24 ,  5F083AD31 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083GA06 ,  5F083JA03 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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