半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康 , 箱崎幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-303057
公開番号（公開出願番号）：特開2008-160086
出願日： 2007年11月22日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：

【課題】簡易でかつ低コストで製造可能なHOT構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】(100)面方位Si基板Sの表面に電子線EBを局所的に照射した状態で、基板Sの表面上にセリウムオキサイド(CeO2)を成膜することにより、電子線EBが照射した領域AR1には(100)面方位セリウムオキサイド(CeO2)膜36を成膜し、電子線EBが照射しない領域AR2には(110)面方位セリウムオキサイド(CeO2)膜38を成膜する。それぞれ異なった面方位を有するセリウムオキサイド(CeO2)上に、シリコン(Si)膜を成長することにより、HOT(Hybrid Orientation Technology)構造を有する半導体装置を提供することを可能とする。【選択図】図13

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、結晶方位が互いに異なる少なくとも2つの結晶性絶縁膜を含む複数の結晶性絶縁膜と、を備える半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/205

FI (6件)：

H01L21/316 Y , H01L27/12 D , H01L29/78 626C , H01L29/78 620 , H01L29/78 613A , H01L21/205

Fターム (35件)：

5F045AA03 , 5F045AB02 , 5F045AC02 , 5F045AD12 , 5F045AF07 , 5F045AF13 , 5F045BB08 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DA61 , 5F045DB09 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BE10 , 5F058BF14 , 5F058BF36 , 5F058BJ04 , 5F058BJ10 , 5F110AA16 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD24 , 5F110EE09 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG17 , 5F110GG44 , 5F110HK05 , 5F110NN62 , 5F110NN78

引用特許：

審査官引用 (11件)

酸化物積層構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-336158 出願人：ソニー株式会社
光変調複合素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-277234 出願人：富士ゼロックス株式会社
電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-069148 出願人：株式会社東芝

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