特許
J-GLOBAL ID：200903014164078848

半導体装置及びその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-022490
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231725
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 SOIでは素子形成領域と、基板バルクまたは基板裏面との間に酸化膜が存在するため汚染不純物の拡散が著しく抑えられてしまう。従って、SOIではゲッタリング技術の適用が極めて困難な状況が発生する。本発明は、SOIにおいて適したゲッタリング方法を適用して得られる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】 SOI構造を有する基板の表面シリコン層の選択された領域に、希ガス元素を注入し、加熱処理によりその選択された領域に表面シリコン層に含まれる金属などの汚染物質をゲッタリングすることを特徴としている。希ガス元素としては、ヘリウム(He)、アルゴン(Ar)、ネオン(Ne)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)から選ばれた一種または複数種を用いる。
請求項（抜粋）：
表面シリコン層と埋め込み酸化膜が形成されたSOI構造を有する半導体装置であって、前記表面シリコン層に形成された素子分離領域には希ガス元素と、金属元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/322 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 21/322 J ,  H01L 27/12 F ,  H01L 29/78 621 ,  H01L 29/78 627 Z
Fターム (41件)：
5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG32 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM