特許
J-GLOBAL ID：200903014733527745
化合物半導体単結晶基板およびその基板を用いて作製した半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-065273
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260735
出願日： 1998年03月16日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 GaAs単結晶基板表面に耐熱性を持たせた化合物半導体単結晶基板およびその基板を用いて作製した半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】 周期表第13(3B)族元素及び第15(5B)族元素からなる化合物半導体単結晶の表面に、耐熱性を有する窒化物薄膜を形成するようにしたものであり、例えば上記化合物半導体単結晶はGaAs単結晶、上記窒化物薄膜はGaN薄膜であり、当該GaN薄膜は、厚さ0.05〜2μmで形成されるようにした。
請求項（抜粋）：
周期表第13(3B)族元素及び第15(5B)族元素からなる化合物半導体単結晶の表面に、耐熱性を有する窒化物薄膜が形成されてなることを特徴とする化合物半導体単結晶基板。
IPC (6件)：
H01L 21/205
, C30B 29/38
, C30B 29/40 502
, C30B 29/42
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/205
, C30B 29/38 D
, C30B 29/40 502 G
, C30B 29/42
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
