特許
J-GLOBAL ID：200903096100483885
窒化インジウムガリウム半導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-025339
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223542
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、高品質で結晶性に優れたInGaN膜を安定して製造できる方法を提供することをその目的とする。【解決手段】 この発明は、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスを原料ガスとして反応室1内に導入し、有機金属気相成長法により、基板10上に窒化インジウムガリウム半導体膜を成長させる窒化インジウムガリウム半導体の製造方法であって、H2またはN2をキャリアガスとして原料ガスを原料ガスライン5、6から反応室1内に導入すると共に、上層ガスライン7からH2またはN2を反応室1内に導入し、反応室1内の総N2量に対する総H2量の比(H2/N2)が0より1/5以下になるようにH2及びN2を導入量を制御する。
請求項（抜粋）：
ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスを原料ガスとして形成室内に導入し、気相成長法により窒化インジウムガリウム半導体膜を製造する窒化インジウムガリウム半導体の製造方法であって、前記窒化インジウムガリウム半導体の形成時に水素及び窒素を導入すると共に、窒素量(N2)に対する水素量(H2)の比(H2/N2)を0より1/5以下の範囲で前記窒化インジウムガリウム半導体を製造することを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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