フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法および半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-287440
公開番号（公開出願番号）：特開2001-133980
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】フォトレジスト上部の酸により傾斜したパターンが形成され、I/Dバイアスが大きくなる点を解決できるフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】フォトレジスト組成物は、フォトレジスト樹脂と、光酸発生剤と、光塩基発生剤と、有機溶媒を含む。また、前記光塩基発生剤は下記式(1)の化合物、及び下記式(2)の化合物の中から選択されるのが好ましい。【化1】【化2】

請求項（抜粋）：

(a)フォトレジスト樹脂と、(b)光酸発生剤と、(c)光塩基発生剤と、(d)有機溶媒を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。

IPC (12件)：

G03F 7/039 601 , C08F222/06 , C08K 5/02 , C08K 5/29 , C08K 5/32 , C08K 5/41 , C08L 35/00 , C08L101/00 , G03F 7/004 503 , G03F 7/004 , G03F 7/38 , H01L 21/027

FI (12件)：

G03F 7/039 601 , C08F222/06 , C08K 5/02 , C08K 5/29 , C08K 5/32 , C08K 5/41 , C08L 35/00 , C08L101/00 , G03F 7/004 503 B , G03F 7/004 503 A , G03F 7/38 , H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (8件)

化学増幅ポジ型レジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-257756 出願人：信越化学工業株式会社
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-093822 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-296250

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