特許
J-GLOBAL ID：200903014986666610

低転位密度GaNの成長のためのプロセス

発明者：
ベルナール、ボーモン

ベルナール、ボーモン について

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ジャン-ピエール、フォーリー

ジャン-ピエール、フォーリー について

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ピエール、ギバール

ピエール、ギバール について


出願人/特許権者：
リュミログ

リュミログ について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝 ,  高村 雅晴
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-545013
公開番号（公開出願番号）：特表2009-519198
出願日： 2006年12月15日
公開日（公表日）： 2009年05月14日
要約：
3D島または特徴が成長パラメーターを調整することのみで生み出される、エピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース技術の新たな修正法を用いて、高特性自立GaNが得られる。これらの島を平滑化させること(2D成長)は、次いで高い横方向成長を生じる成長条件を設けることにより達成される。3D-2D成長の繰返しは貫通転位のマルチベンディングをもたらし、こうして厚い層、即ち貫通転位密度106cm-2以下の自立GaNを生産する。
請求項（抜粋）：
低欠陥密度GaNを製造する方法であって、 a)出発基板上におけるGaNのエピタキシャル層の成長工程、 b)島状特徴を誘発するための低温におけるGaN層の次なる成長工程、および c)横方向成長が島状特徴の完全合体および平滑表面の達成まで高められる条件下におけるGaN層の頂上での成長工程 からなり、工程b)が、いかなる類のマスクも、GaN表面の粗化も、エッチングも、溝刻みも用いることなく、成長チャンバの作業圧力、分圧、温度、V/III比を変えること、および/または気相へサーファクタントまたはアンチサーファクタント化学種を加えることのみにより行なわれることを特徴とする方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C30B 33/00 ,  C30B 25/16
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  C30B33/00 ,  C30B25/16
Fターム (30件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB04 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077DB12 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EB01 ,  4G077EC09 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EH06 ,  4G077FJ03 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC02 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TC14 ,  4G077TJ03 ,  4G077TJ04 ,  4G077TJ05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11
引用特許：
審査官引用 (8件)
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