特許
J-GLOBAL ID：200903015061806094

発光ダイオード及び発光装置

発明者：
広瀬 義幸

広瀬 義幸 について

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永井 陽一

永井 陽一 について

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齊藤 裕久

齊藤 裕久 について

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北林 弘之

北林 弘之 について

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池田 亜矢子

池田 亜矢子 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-396103
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159035
出願日： 2003年11月26日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】実装作業が容易であり且つ光の取出し効率を向上できる発光ダイオード及び発光装置を提供する。【解決手段】発光ダイオード3は、n型のGaN系化合物半導体からなる基板5を備える。また、発光ダイオード3は、基板5の主面5a上に順次形成されたn型クラッド層7、活性層9、p型クラッド層11、p型コンタクト層13、及びアノード電極15を備える。カソード電極17は、基板5の側面5c上に形成されている。これにより、活性層9において発生した光L1は、カソード電極17に遮られることなく基板5の裏面5bから出射することができる。従って、この発光ダイオード3によれば、光の取出し効率を向上できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
GaN系化合物からなるn型半導体基板と、 窒化物半導体からなり、前記n型半導体基板の主面上に設けられたn型半導体層と、 窒化物半導体からなり、前記n型半導体層上に設けられたp型半導体層と、 窒化物半導体からなり、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた活性層と、 前記p型半導体層上に設けられ、前記p型半導体層とオーミック結合されたアノード電極と、 前記n型半導体基板の側面上に設けられ、前記n型半導体基板とオーミック結合されたカソード電極と、 を備える、発光ダイオード。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (6件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA93 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (15件)
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