半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木康夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-318658
公開番号（公開出願番号）：特開2003-123468
出願日： 2001年10月16日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】ディープスタンバイモードとスタンバイモードを設定した擬似SRAMを用いた装置において、ディープスタンバイモードからスタンバイモードへ復帰する時間を短縮する手段を提供する。【解決手段】ディープスタンバイモードからスタンバイモードに切り替わるとタイマー12及び14が起動され、それぞれセルフリフレッシュに必要な一定周期のタイマー出力TN及びセルフリフレッシュ周期よりも短い周期のタイミング信号TRを出力する。カウンタ15は、ディープスタンバイモードからスタンバイモードに切り替わった直後からタイマー14の出力TRをカウントし、設定値と一致したとき切り替え信号Cを出力する。マルチプレクサ17はカウンタ15の出力で切換制御され、カウンタ15のカウント値が設定値と一致するまではTRを選択し、以降のスタンバイモードではTNを選択して出力する。

請求項（抜粋）：

複数の動作モードを有する半導体記憶装置において、所定の周期のタイミングパルスを発生する第1の周期発生手段と、前記所定の周期よりも短い周期のタイミングパルスを発生する第2の周期発生手段と、前記第1または第2の周期発生手段からのタイミングパルスが入力されたとき動作して所定の内部電圧を発生する内部電圧発生手段と、前記半導体記憶装置の動作モードがある1つのモードから他のモードに切り替わったときに、前記第2の周期発生手段からのタイミングパルスを選択して前記内部電圧発生手段に出力するタイミングパルス切り替え手段と、を有していることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 11/403 , G11C 11/406 , G11C 11/407 , G11C 11/408

FI (5件)：

G11C 11/34 371 J , G11C 11/34 363 M , G11C 11/34 363 L , G11C 11/34 354 F , G11C 11/34 354 G

Fターム (19件)：

5M024AA04 , 5M024BB22 , 5M024BB27 , 5M024BB29 , 5M024DD90 , 5M024EE05 , 5M024EE09 , 5M024EE23 , 5M024EE30 , 5M024FF04 , 5M024FF05 , 5M024FF22 , 5M024FF25 , 5M024JJ52 , 5M024KK22 , 5M024PP01 , 5M024PP02 , 5M024PP03 , 5M024PP07

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-362802 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
昇圧回路及びこれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-351275 出願人：富士通株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-003902 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

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