特許
J-GLOBAL ID:200903015148607829

プラズマ表面処理方法およびその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 佐野 章吾 ,  寒川 潔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-240314
公開番号(公開出願番号):特開2004-076122
出願日: 2002年08月21日
公開日(公表日): 2004年03月11日
要約:
【課題】大気圧近傍の圧力下でマイクロアークのない均一なプラズマを発生させ、被処理基板へのダメージなく改質等の表面処理を行う。【解決手段】被処理基板5が通過する対向電極2の間隙に向け、被処理基板5の導入側と排出側に設けたガス噴射口11、11の双方から、反応ガスを間隙内に閉じ込めるように噴射供給する。さらに、対向電極2に正弦波高周波電圧を供給する高周波発振機12の発振周波数を、PLL回路15によって負荷側共振回路の共振周波数に追従させ、供給電圧の歪を防止し、急峻なノイズ成分によるマイクロアークの発生を抑止し、安定したプラズマを継続的に生成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
固体誘電体で覆われた一対の対向電極の間隙に大気圧近傍圧力の反応ガスを満たし、この対向電極に高周波電圧を加えて間隙に発生させたプラズマにより、間隙を通過する被処理基板に表面処理をする装置において、 被処理基板の導入用開口及び排出用開口を開けた状態で、対向電極の間隙を外部空間と仕切り、反応ガスを、これら導入用開口及び排出用開口の双方から間隙に向け閉じ込めるように噴射供給することを特徴とするプラズマ表面処理方法。
IPC (2件):
C23C16/505 ,  H05H1/46
FI (3件):
C23C16/505 ,  H05H1/46 M ,  H05H1/46 R
Fターム (11件):
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030JA09 ,  4K030KA15 ,  4K030KA17 ,  4K030KA41 ,  4K030LA11
引用特許:
審査官引用 (10件)
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