特許
J-GLOBAL ID：200903015383090639

電力変換器の主回路構造

発明者：
伊東 知

伊東 知 について

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仲田 清

仲田 清 について

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小柳 阿佐子

小柳 阿佐子 について

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三島 彰

三島 彰 について

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豊田 瑛一

豊田 瑛一 について

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佐藤 常雄

佐藤 常雄 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 笹岡 茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-119137
公開番号（公開出願番号）：特開2000-023462
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 電力変換器の主回路配線におけるインダクタンスの低減を図り、かつ、簡単な構成で実現することにある。【解決手段】 少なくとも2個のIGBTモジュール1、2と、一方のIGBTモジュール1のコレクタ端子と直流電源の正極を接続する正側導体3と、その他方のIGBTモジュール2のエミッタ端子と直流電源の負極を接続する負側導体5と、一方のIGBTモジュールのエミッタ端子および他方のIGBTモジュールのコレクタ端子を交流側に接続する交流側導体4からなり、各導体をそれぞれ平板形状とするとともに、階層状に平行に形成する電力変換器の主回路構造において、IGBTモジュールに近い方から正側導体、交流側導体、負側導体の順に設置し、または、その逆順に設置し、各導体を対応するIGBTモジュールの各端子に固定する固定具6〜9の高さより少なくとも大きい間隔に配置する。
請求項（抜粋）：
半導体素子とその素子のコレクタ端子およびエミッタ端子を同一方向側面から取り出して一体成型した半導体モジュールを1相分として少なくとも2個備えた電力変換器であって、前記一方の半導体モジュールのコレクタ端子(PC)と直流電源の正極を接続する正側導体と、その他方の半導体モジュールのエミッタ端子(NE)と前記直流電源の負極を接続する負側導体と、前記一方の半導体モジュールのエミッタ端子(PE)および前記他方の半導体モジュールのコレクタ端子(NC)を交流側に接続する交流側導体からなり、前記各導体をそれぞれ平板形状とするとともに、階層状に平行に形成する電力変換器の主回路構造において、前記2個の半導体モジュールの端子の順をPC、PE、NC、NEの一列になるように配置した場合、前記半導体モジュールに近い方から正側導体、交流側導体、負側導体の順に設置し、または、前記半導体モジュールに近い方から負側導体、交流側導体、正側導体の順に設置することを特徴とする電力変換器の主回路構造。
IPC (3件)：
H02M 7/04 ,  H02M 1/00 ,  H02M 7/48
FI (3件)：
H02M 7/04 D ,  H02M 1/00 J ,  H02M 7/48 Z
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (7件)
  • 半導体スタック
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-276894   出願人：株式会社東芝
  • 電力変換装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-188004   出願人：富士電機株式会社
  • 特開平4-133669
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