特許
J-GLOBAL ID：200903015424413421
埋込型半導体光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-269934
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078212
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】 Znが活性層及びFeドープInP埋込層に拡散しないような構造の埋込型半導体光素子を提供することにある。【解決手段】 半導体基板1上に、少なくとも第1の導電型のクラッド層2、活性層あるいは光吸収層4からなる活性領域、第2の導電性を有するクラッド層6からなる積層体がメサストライプ状に加工されており、該積層体の両側をFeドープInP層10で埋め込まれた埋込型半導体光素子において、該FeドープInP層10と該積層体との間に、ルテニウムを添加した層9を設けることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、少なくとも第1の導電型のクラッド層、活性層或いは光吸収層からなる活性領域、第2の導電性を有するクラッド層からなる積層体がメサストライプ状に加工されており、該積層体の両側がFeドープInP層で埋め込まれた埋込型半導体光素子において、該FeドープInP層と該積層体との間に、ルテニウムを添加した層を設けることを特徴とする埋込型半導体光素子。
Fターム (7件)：
5F073AA22
, 5F073AA74
, 5F073BA01
, 5F073CA17
, 5F073CB12
, 5F073DA25
, 5F073EA15
