金属充てん構造部形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-163033
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049117
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】高いアスペクト比を有するトレンチ、ヴィア等の開口部を、経済的かつ信頼できる方法により埋めることができる技術を得る。【解決手段】集積回路装置の基板1における開口部に、金属充てん構造部を形成する改善された方法を提供する。本発明の方法は、基板1の誘電体層に設けられた、埋められるべき開口部100に、CVDによる不連続的な金属ライナ18を形成する。この不連続的な金属ライナ18の上に、物理蒸着によりさらに金属を堆積を堆積し、金属充てん構造部を形成する。この不連続的な金属ライナは、連続的なCDVライナと同等、もしくはそれ以上のぬれ性を与えるので、250nmよりもずっと狭い開口幅を有する開口部を埋めることが可能となる。

請求項（抜粋）：

基板における開口部に金属充てん構造部を形成する方法であって、内部表面を有する前記開口部を備えた基板を用意する、基板用意ステップと、前記開口部の内部表面に化学蒸着により不連続金属層を堆積する、化学蒸着ステップと、前記不連続金属層の上に物理蒸着によりさらに金属を堆積する、物理蒸着ステップと、前記物理蒸着ステップにおいて堆積された金属をリフローし、前記金属充てん構造部を得る、リフローステップと、を有する金属充てん構造部形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/28 301 , C23C 14/14 , C23C 14/58 , C23C 16/56 , C23C 28/02 , H01L 21/3205

FI (6件)：

H01L 21/28 301 R , C23C 14/14 D , C23C 14/58 Z , C23C 16/56 , C23C 28/02 , H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体素子の配線層形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-304452 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
半導体装置およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-168329 出願人：三星電子株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-044578 出願人：川崎製鉄株式会社, 東京エレクトロン株式会社

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