特許
J-GLOBAL ID：200903042712286997

超薄ニュークリエーション層を用いた集積CVD/PVD-ALの平坦化

発明者：
リャン-ユー チャン

リャン-ユー チャン について

, 
メフル ナイク

メフル ナイク について

, 
テッド グオ

テッド グオ について

, 
ロデリック シー. モーズリー

ロデリック シー. モーズリー について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-139100
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054512
出願日： 1998年04月13日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 高アスペクト比の小さなフィーチャサイズの用途での相互接続部を形成する方法と装置を提供する。【解決手段】 本発明は、後続の物理気相堆積用の濡れ層を堆積して相互接続部を充填する方法と装置を提供する。本発明の濡れ層は、CVDアルミニウム(Al)等の、CVD或いは電気めっきの何れか一方を利用して堆積される金属層である。濡れ層は、ニュークリエーション層として 層で示される超薄層を用いて核形成される。 層は、Ti、TiN、Al、Ti/TiN、Ta、TaN、Cu、TDMATのフラッシュ等を含むことが好ましい。 層は、PVD又はCVD、好ましくはPVD技術を利用して堆積され、膜品質とフィーチャ内の配向とを改良できる。従来の知識に反して、 層は、CVD濡れ層の成長の核を形成するために連続している必要はない。次いで、PVD堆積金属が低温で濡れ層に堆積されて相互接続部が充填される。
請求項（抜粋）：
(a)基板を第1のプロセス領域に導入するステップと、(b)不連続ニュークリエーション層を前記基板に堆積するステップと、(c)前記基板を第2のプロセス領域に導入するステップと、(d)濡れ層を前記ニュークリエーション層に堆積するステップと、(e)前記基板を第3のプロセス領域に導入するステップと、(f)導体層を前記濡れ層上に堆積するステップと、を含む基板を処理するための方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301
FI (3件)：
H01L 21/88 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/28 301 R
引用特許：
審査官引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM