特許
J-GLOBAL ID：200903016583850146
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-087278
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284022
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 突起電極を有する半導体素子の配線基板上への搭載において、突起電極と配線基板上の電極との十分な接触を得て、安定した電気的接続を可能にする。【解決手段】 配線基板11の電極12を、半導体素子8の突起電極10よりも外側に延在させて十分大きく、また突起電極10の方が軟らかい金属材料で形成し、配線基板11上に熱硬化型樹脂からなる接着剤13を配して、半導体素子8を、電極12を凹状に塑性変形させるように圧接し、突起電極10と電極12との接触面積を確保して電気的接続を図る。
請求項（抜粋）：
突起電極を有する半導体素子と、表面を樹脂層で構成し該樹脂層上に上記突起電極に相対する電極を含む配線を配設した配線基板とを、上記突起電極と上記電極とを圧接して接続し、上記配線基板と上記半導体素子との間に介在した熱硬化型樹脂から成る接着剤により固着された半導体装置において、上記突起電極を、上記電極を構成する金属よりも軟らかい金属で構成し、上記電極が圧接により凹状に塑性変形するものを有し、該塑性変形時に上記突起電極との接触面積を確保するように、上記電極を上記突起電極より外側に延在させて十分大きく形成したことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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