高誘電キャパシタ誘電体を含む半導体デバイス及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀬谷徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-391215
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237401
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】キャパシタ誘電体膜として高い誘電定数(K)を有する半導体メモリデバイスを提供する。【解決手段】メモリセルで用いる半導体デバイスにおいて、半導体基板、前記半導体基板に形成された多数のトランジスタ及び前記トランジスタに電気的に接続された導電性プラグを備える活性マトリックスと、前記導電性プラグ上に形成された多数の下部電極と、前記下部電極上に形成された合成膜と、前記合成膜上に形成されているアルミニウムオキサイド(Al2O3)膜を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

メモリセルを用いる半導体デバイスにおいて、半導体基板、前記半導体基板に形成された多数のトランジスタ、前記トランジスタに電気的に接続された導電性プラグを備える活性マトリックスと、前記導電性プラグ上に形成された多数の下部電極と、前記下部電極上に形成された合成膜と、前記合成膜上に形成されているアルミニウムオキサイド(Al2O3)膜とを含むことを特徴とする高誘電キャパシタ誘電体を含む半導体デバイス。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C23C 16/40 , H01L 21/316

FI (5件)：

C23C 16/40 , H01L 21/316 X , H01L 21/316 M , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-025618 出願人：日本電気株式会社
半導体デバイス用誘電体構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-156625 出願人：ナショナルセミコンダクタコーポレイション
TiO2を添加したTa2O5を含む誘電体材料及びそれを用いるコンデンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-153653 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション

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