ビームグリッチを回復するための高速ビーム偏向部を有するウェハ走査イオン注入器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：龍華明裕
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-554246
公開番号（公開出願番号）：特表2008-530785
出願日： 2006年02月03日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：

イオン注入器の分析器モジュールは、イオンビームのイオンビーム端部が出射する分解口に隣接するビーム偏向部を含む。第1動作状態におけるほぼゼロボルトの第1値のビーム偏向電圧に応えて、ビーム偏向部は、イオンビーム端部を生成する分解口の方向にイオンビームのイオンビーム線源部を向ける。ビーム偏向電圧が、第2動作状態において高い第2値を有する場合、ビーム偏向部は、イオンビーム端部が実質的に消滅するように分解口からイオンビーム線源部の種を逸らす方向に向ける。ビーム制御回路は、第2動作状態の間に、第2値から第1値へとビーム偏向電圧を迅速に切り替えることにより、第1動作状態へとイオン注入器を遷移させる。注入方法は、注入の間、グリッチから回復する注入器の特徴を利用するとともに、それによって注入されたウェハの歩留まりを上げる。

請求項（抜粋）：

イオン注入器であって、ビームパスに沿って移動するとともに、注入動作の間に固定されるイオンビーム端部を有するイオンビームの線源と、前記注入動作の間に、前記イオンビームの前記静止イオンビーム端部を横切る半導体ウェハを走査するエンドステーションと、 (1)第1動作状態における第1ビーム偏向電圧に応えて、前記半導体ウェハに前記イオンビーム端部を照射させるように前記ビームパスの方向に前記イオンビームを導き、(2)第2動作状態における第2ビーム偏向電圧に応えて、前記半導体ウェハに対して前記イオンビーム端部を照射させないように前記ビームパスの方向から前記イオンビームを逸らすビーム偏向部と、前記第2動作状態の間に、前記第2ビーム偏向電圧から前記第1ビーム偏向電圧へと迅速に切り替えて、前記第1動作状態に前記イオン注入器を遷移させるビーム制御回路とを備えるイオン注入器。

IPC (2件)：

H01L 21/265 , H01J 37/317

FI (4件)：

H01L21/265 603B , H01J37/317 A , H01J37/317 C , H01L21/265 T

Fターム (2件)：

5C034CC05 , 5C034CD04

引用特許：

審査官引用 (10件)

イオン注入装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-047944 出願人：日新電機株式会社
イオン注入装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-244917 出願人：ソニー株式会社
ビーム照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-157651 出願人：日新電機株式会社

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