特許
J-GLOBAL ID:200903017635229042

発光ダイオード及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 平田 忠雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-162628
公開番号(公開出願番号):特開2006-339426
出願日: 2005年06月02日
公開日(公表日): 2006年12月14日
要約:
【課題】表面の少なくとも一部にエッチングにより荒らした領域(エッチング領域)を有する発光ダイオードにおいて、当該エッチング領域に薄膜の透明導電膜を有効な形で形成でき、LED効率を大幅に向上することが可能である発光ダイオード及びその製造方法を提供すること。【解決手段】n型半導体層及びp型半導体層を順に形成することにより半導体領域を作製し、前記半導体領域の表面に複数の穴を形成することにより高効率光取出し領域を作製し、前記高効率光取出し領域の平坦領域に透明導電膜からなる透明電極を連続的に形成することにより透明電極形成領域を作製することにより、発光ダイオードを製造する。このとき、前記高効率光取出し領域における前記複数の穴の面積割合が10%以上80%以下である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
n型半導体層及びp型半導体層を順に形成することにより作製された半導体領域を有する発光ダイオードにおいて、前記半導体領域の表面に複数の穴を形成することにより作製された高効率光取出し領域、前記高効率光取出し領域の平坦領域に透明導電膜からなる透明電極を連続的に形成することにより作製された透明電極形成領域を有し、前記高効率光取出し領域における前記複数の穴の面積割合が10%以上80%以下であることを特徴とする発光ダイオード。
IPC (1件):
H01L 33/00
FI (1件):
H01L33/00 A
Fターム (10件):
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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