半導体メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-172856
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367386
出願日： 2001年06月07日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】参照電位発生のためのダミーデータ線容量の面積を減らし、チップ面積を小さくすることができるセンスアンプ回路方式を採用した半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】複数のセンスアンプを含むセンスアンプ列50が参照電位発生回路60を共有する。各センスアンプ本体の差動アンプ51の一方の入力端子はそれぞれセンス線SNに接続され、他方の入力端子は共通に参照センス線RSNに接続される。センス線SN及び参照センス線RSNには電流源負荷52,61が接続される。センス線SN及び参照センス線RSNはそれぞれクランプ回路53,62を介してデータ線DL,参照データ線RDLに接続される。参照データ線RDLには“0”,“1”セルの中間の電流を流す電流源63が接続され、またデータ線DLの容量に対応するダミーデータ線容量CRが接続される。参照センス線RSNを共有としたことに伴い、センス線SNには、参照センス線RSNとの容量バランスをとるためにダミーセンス線容量CSが付加される。

請求項（抜粋）：

電流引き込みの有無又は大小によりデータを記憶するメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、このメモリセルアレイとデータの授受を行う複数のデータ線と、これら複数のデータ線にそれぞれ接続される複数のセンス線を有するセンスアンプ列と、前記センスアンプ列が共有する参照センス線に参照電位を与えるための参照データ線と、を有することを特徴とする半導体メモリ装置。

Fターム (4件)：

5B025AA02 , 5B025AD05 , 5B025AE00 , 5B025AE05

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-011392
特開平2-103797
ダイナミック型半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-328808 出願人：株式会社東芝

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