特許
J-GLOBAL ID：200903017989790760
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-318931
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098593
出願日： 2006年11月27日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【課題】トレンチ型パワーMOSFETにおいて、ソース電極膜とゲート電極を制御よく絶縁し、かつソース電極膜のボイドの発生を防止する。【解決手段】パワーMOSFETは、ドレインを構成する半導体基板1,3、半導体基板3の表面に形成されたトレンチ5、トレンチ5内にゲート絶縁膜7を介して形成されたポリシリコンからなるゲート電極9、半導体基板3の表面側に形成されたボディ拡散層11、半導体基板3の表面にソース拡散層13、ゲート電極9上に形成された層間絶縁膜18、半導体基板3上に形成されたソース電極膜19を備えている。ゲート電極9の上面及び層間絶縁膜18の上面はトレンチ5内で半導体基板3の表面よりも落ち込んで形成されており、トレンチ5の半導体基板表面部分5aがテーパ形状に形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ドレインを構成する半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成されたトレンチと、前記トレンチ内にゲート絶縁膜を介して形成されたポリシリコンからなるゲート電極と、前記半導体基板の表面側に前記トレンチに隣接して前記トレンチよりも浅く形成されたボディ拡散層と、前記半導体基板の表面に前記トレンチ及び前記ボディ拡散層に隣接して前記ボディ拡散層よりも浅く形成されたソース拡散層と、前記ゲート電極上に形成された層間絶縁膜と、前記ゲート電極とは絶縁され前記ボディ拡散層及び前記ソース拡散層と電気的に接続されて前記半導体基板上に形成された金属材料からなるソース電極膜をもつパワーMOSFETを備えた半導体装置において、
前記ゲート電極の上面及び前記層間絶縁膜の上面は前記トレンチ内で前記半導体基板の表面よりも落ち込んで形成されており、
前記トレンチの半導体基板表面部分がテーパ形状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 29/06
H01L29/78 658D
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 653C
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 652B
, H01L29/78 658G
出願人引用 (2件)
審査官引用 (13件)
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