ウェーハ処理プロセス及び装置並びに中間層及びキャリヤー層を有するウェーハ

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (6件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 宍戸嘉一 , 村社厚夫 , 弟子丸健 , 井野砂里
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-556221
公開番号（公開出願番号）：特表2006-508540
出願日： 2003年11月28日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

本発明は、ウェーハを処理する、特にウェーハを薄くするプロセス及びデバイスに関する。キャリヤー層、及びキャリヤー層とウェーハとの間に配置されている中間層を有するウェーハをも記述する。上記中間層はプラズマ重合層であり、ウェーハに付着し、且つウェーハに対するよりも強くキャリヤー層に付着する。

請求項（抜粋）：

一方の側(前側)の上に構成要素(2)を担持しているウェーハ(1、2)を処理するプロセスにおいて、 -前記ウェーハ(1、2)の前側に、前記ウェーハ(1、2)の前側と接触する少なくとも1つの中間層(3)と、キャリヤー層(4)とを含む層システムを付着させるステップと、 -前記ウェーハ(1、2)の後側を薄くするステップと、を含み、前記後側を薄くする間、前記層システムが前記ウェーハ、または前記ウェーハの部分を保護または担持(保持)する、ことを特徴とするプロセス。

IPC (2件)：

H01L 21/02 , H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/02 C , H01L21/02 B , H01L21/304 622J

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-277793 出願人：沖電気工業株式会社
半導体ウェハを薄くする方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-343287 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-145574 出願人：富士通株式会社

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