特許
J-GLOBAL ID：200903018833423039

半導体発光素子

発明者：
今野 泰一郎

今野 泰一郎 について

, 
新井 優洋

新井 優洋 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-039191
公開番号（公開出願番号）：特開2005-235797
出願日： 2004年02月17日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】金属酸化物窓層(透明導電膜)を備えた構造の半導体発光素子において、寿命が短く急速に劣化してしまうことを防止し、つまり高信頼性であり、且つ中間バンドギャップ層を設けなくても順方向電圧が低く、再現性良く製造できる構造とする。【解決手段】第一導電型の半導体基板1と、第一導電型クラッド層3と第二導電型クラッド層5との間に活性層4が設けられた発光部と、前記発光部上に形成された第二導電型コンタクト層6と、前記第二導電型コンタクト層上に積層された金属酸化物窓層7と、前記金属酸化物窓層の表面側の一部に形成された第一電極8と、前記基板の裏面の全面又は部分的に形成された第二電極9とを備えた半導体発光素子において、前記第二導電型クラッド層5及び第二導電型コンタクト層6を第二導電型とする添加物にMgを用い、前記第二導電型コンタクト層6の材料としてGaXIn1-XP(0≦X≦0.72)を用いる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体基板と、 第一導電型クラッド層と第二導電型クラッド層との間に活性層が設けられた発光部と、 前記発光部上に形成された第二導電型コンタクト層と、 前記第二導電型コンタクト層上に積層された金属酸化物窓層と、 前記金属酸化物窓層の表面側の一部に形成された第一電極と、 前記基板の裏面の全面又は部分的に形成された第二電極とを備えた半導体発光素子において、 前記第二導電型クラッド層及び第二導電型コンタクト層を第二導電型とする添加物にMgを用い、 前記第二導電型コンタクト層の材料としてGaXIn1-XP(0≦X≦0.72)を用いたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 B
Fターム (11件)：
5F041AA04 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-113666   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (6件)
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