特許
J-GLOBAL ID:200903019064290124
多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (4件):
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-329126
公開番号(公開出願番号):特開2004-161876
出願日: 2002年11月13日
公開日(公表日): 2004年06月10日
要約:
【課題】簡単な工程かつ低コストで、実用的な力学的強度を有する多孔質膜を形成できる膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、及び多孔質膜を内蔵する低コスト、高性能、かつ、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表されるシラン化合物の一以上を加水分解縮合して得られる重合体、好ましくは、一般式(1)に表されるシラン化合物の一以上と、下記一般式(2)に表されるシラン化合物の一以上とを共加水分解縮合して得られる重合体を含む多孔質膜形成用組成物を用いる。また、この膜形成用組成物の塗布工程と多孔質形成工程とを含む多孔質膜の製造方法を用いる。【化1】【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)
IPC (3件):
C08G77/38
, H01L21/316
, H01L21/768
FI (4件):
C08G77/38
, H01L21/316 G
, H01L21/90 S
, H01L21/90 Q
Fターム (54件):
4J002CP03W
, 4J002CP03X
, 4J002CP06Y
, 4J002EQ016
, 4J002GQ01
, 4J002GQ05
, 4J246AA03
, 4J246AA19
, 4J246BA12X
, 4J246BA120
, 4J246BB02X
, 4J246BB020
, 4J246BB022
, 4J246CA12U
, 4J246CA12X
, 4J246CA129
, 4J246CA13U
, 4J246CA13X
, 4J246CA139
, 4J246CA26X
, 4J246FA071
, 4J246FA081
, 4J246FA131
, 4J246FA371
, 4J246FB301
, 4J246GB04
, 4J246GC52
, 4J246GC53
, 4J246HA63
, 5F033GG01
, 5F033GG02
, 5F033HH11
, 5F033JJ11
, 5F033KK01
, 5F033KK11
, 5F033QQ48
, 5F033RR23
, 5F033RR29
, 5F033SS22
, 5F033WW00
, 5F033WW03
, 5F033WW04
, 5F033XX00
, 5F033XX01
, 5F033XX24
, 5F033XX27
, 5F058BA06
, 5F058BA07
, 5F058BA20
, 5F058BC05
, 5F058BC20
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ02
引用特許:
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