特許
J-GLOBAL ID：200903019854831923

配線基板の製造方法

発明者：
御田 護

御田 護 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-032630
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217548
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】配線基板を安価に製造すること。【解決手段】複数の配線層を有する配線基板の製造方法において、前記配線層を形成する第1の金属箔上に、他の配線層と導通をとるための導電性バンプを形成する第1のステップと、前記導電性バンプを加熱して所定の硬度を有する半硬化状態にする第2のステップと、前記第1の金属箔上に絶縁性樹脂を前記導電性バンプの先端部分が露出するように液状樹脂をコーティングする第3のステップと、前記絶縁性樹脂を加熱して所定の硬度を有する半硬化状態にする第4のステップと、第2の金属箔を前記絶縁性樹脂上に加熱圧着して、前記導電性バンプと前記絶縁性樹脂とをフルキュアに完全に硬化させ、前記導電性バンプの先端部分と前記第2の金属箔を電気的に接続する第5のステップと、前記第1及び第2の金属箔をエッチングして配線を形成する第6のステップとを有し、前記第1乃至第6のステップを繰り返して配線基板を製造することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数の配線層を有する配線基板の製造方法において、前記配線層を形成する第1の金属箔上に、他の配線層と導通をとるための導電性バンプを形成する第1のステップと、前記導電性バンプを加熱して所定の硬度を有する半硬化状態にする第2のステップと、前記第1の金属箔上に絶縁性樹脂をコーティングする第3のステップと、前記絶縁性樹脂を加熱して所定の硬度を有する半硬化状態にする第4のステップと、第2の金属箔を前記絶縁性樹脂上に加熱圧着して、前記導電性バンプと前記絶縁性樹脂とを硬化させ、前記導電性バンプの先端部分と前記第2の金属箔を電気的に接続する第5のステップと、前記第1及び第2の金属箔をエッチングして配線を形成する第6のステップとを有し、前記第1乃至第6のステップを繰り返して配線基板を製造することを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
H05K 3/46 ,  H05K 3/40
FI (3件)：
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/40 K
Fターム (21件)：
5E317AA21 ,  5E317BB02 ,  5E317BB12 ,  5E317BB14 ,  5E317BB25 ,  5E317CC13 ,  5E317CC22 ,  5E317CD21 ,  5E317GG16 ,  5E346AA43 ,  5E346CC32 ,  5E346CC39 ,  5E346DD12 ,  5E346DD34 ,  5E346EE33 ,  5E346FF18 ,  5E346GG06 ,  5E346GG18 ,  5E346GG19 ,  5E346HH07 ,  5E346HH32
引用特許：
審査官引用 (7件)
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