特許
J-GLOBAL ID:200903020065834606

光導波路の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-162831
公開番号(公開出願番号):特開平11-014848
出願日: 1997年06月19日
公開日(公表日): 1999年01月22日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 結晶質シリコンを基板とし、屈折率の異なるガラス質材料を用いた平面型光導波路の製造方法を提供する。【解決手段】 結晶質シリコン基板1の一主面上にマスク層2を形成し、マスク層2の一部を選択除去する工程、マスク層2が除去された部分を起点として結晶質シリコン基板1内に選択的に第一の多孔質領域4を形成する工程、この第一の多孔質領域4の外側にこの多孔質領域4の細孔よりも相対的に小さな細孔で構成される第二の多孔質領域5を形成する工程、第一の多孔質領域4および/または第二の多孔質領域5に不純物元素またはその化合物を導入する工程、第一の多孔質領域4と第二の多孔質領域5を酸化する工程を有する。
請求項(抜粋):
結晶質シリコン基板の一主面上にマスク層を形成し、該マスク層の一部を選択除去する工程、該マスク層が除去された部分を起点として前記結晶質シリコン基板内に選択的に第一の多孔質領域を形成する工程、この第一の多孔質領域の外側にこの第一の多孔質領域の細孔よりも相対的に小さい細孔で構成される第二の多孔質領域を形成する工程、前記第一の多孔質領域および/または前記第二の多孔質領域に不純物元素またはその化合物を導入する工程、前記第一の多孔質領域と第二の多孔質領域を酸化する工程を有することを特徴とする光導波路の製造方法。
IPC (2件):
G02B 6/13 ,  G02B 6/12
FI (2件):
G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 N
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (3件)

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