特許
J-GLOBAL ID：200903020092662701
半導体装置及びそれを備えた放射線撮像システム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247932
公開番号（公開出願番号）：特開2001-074846
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 保護層とシンチレータとが分離しにくい半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】 光電変換素子を保護する保護層と、前記保護層の上部に備えたシンチレータとを有する半導体装置において、前記保護層と前記シンチレータとの間に、該保護層と該シンチレータとの分離を防止する分離防止層を形成する。
請求項（抜粋）：
光電変換素子を保護する保護層と、前記保護層の上部に備えたシンチレータとを有する半導体装置において、前記保護層と前記シンチレータとの間に、該保護層と該シンチレータとの分離を防止する分離防止層を形成することを特徴とする半導体装置。
Fターム (9件)：
2G088EE01
, 2G088EE27
, 2G088FF02
, 2G088GG13
, 2G088GG19
, 2G088GG20
, 2G088JJ05
, 2G088JJ09
, 2G088JJ37
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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