半導体装置及び該半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-060040
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260851
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】高集積化された半導体装置であって従来よりも面積を縮小化した半導体装置、及び該半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】多層基板110と、第1半導体チップ111と、第2半導体チップ112とを備える。上記多層基板は、対向する一方の側面に上記第1半導体チップがフリップチップ装着される第1パッド電極124及び上記第2半導体チップの第2電極136と電気的に接続される第2パッド電極125を有し、他方の側面に上記第1パッド電極及び上記第2パッド電極と電気的に接続される第3パッド電極126を有する。よって従来の内部リードは不要となり、半導体装置全体の面積を縮小することができる。又、上記第1半導体チップ上に第2半導体チップを重ねることでより集積化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

第1電極形成面(128)に第1電極(129)を有し該第1電極がフリップチップ装着される第1半導体チップ(111)と、上記第1半導体チップとほぼ同等の面積を占め、かつ上記第1半導体チップの上記第1電極形成面に対向する第1電極非形成面(134)のほぼ全面に対向して配置される第2電極非形成面(138)を有する第2半導体チップ(112)と、対向する2つの側面(122,123)の一方には上記第1半導体チップの上記第1電極がフリップチップ装着される第1パッド電極(124)、及び上記第2電極非形成面に対向する上記第2半導体チップの第2電極形成面(135)に形成されている第2電極(136)と金属線(137)を介して接続される第2パッド電極(125)を有し、他方には第3パッド電極(126)を有し上記第1及び第2パッド電極と上記第3パッド電極とを電気的に接続した基板(110)と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 , H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/60 301 A , H01L 21/60 311 S

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体実装構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-120985 出願人：富士通株式会社
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-146672 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭61-058248

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審査官引用 (9件)

半導体実装構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-120985 出願人：富士通株式会社
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-146672 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭61-058248

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