特許
J-GLOBAL ID：200903021102534657

薄膜形成方法及び薄膜

発明者：
廣瀬 達也

廣瀬 達也 について

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福田 和浩

福田 和浩 について

, 
尾▲崎▼ 浩司

尾▲崎▼ 浩司 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタホールディングス株式会社

コニカミノルタホールディングス株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-001264
公開番号（公開出願番号）：特開2007-182605
出願日： 2006年01月06日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：
【課題】高性能で均一な薄膜を、効率的に、かつ常温でも形成可能な薄膜形成方法とそれにより得られる薄膜を提供する。【解決手段】ナノ粒子を基材に付与し、基材上に付与された該ナノ粒子を大気圧プラズマ処理することにより、薄膜を形成する薄膜形成方法であって、該大気圧プラズマ処理が、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極間にガスを供給し、該電極間に高周波電界を発生させることによって該ガスを励起ガスとし、該励起ガスに基材上に付与された該ナノ粒子を晒す処理であることを特徴とする薄膜形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
ナノ粒子を基材に付与し、基材上に付与された該ナノ粒子を大気圧プラズマ処理することにより、薄膜を形成する薄膜形成方法であって、該大気圧プラズマ処理が、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極間にガスを供給し、該電極間に高周波電界を発生させることによって該ガスを励起ガスとし、該励起ガスに基材上に付与された該ナノ粒子を晒す処理であることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (6件)：
C23C 16/505 ,  C08J 7/06 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/208
FI (7件)：
C23C16/505 ,  C08J7/06 B ,  C08J7/06 ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/28 B ,  H01L21/316 Z ,  H01L21/208 Z
Fターム (55件)：
4F006AA02 ,  4F006AA12 ,  4F006AA17 ,  4F006AA18 ,  4F006AA19 ,  4F006AA22 ,  4F006AA35 ,  4F006AA36 ,  4F006AA38 ,  4F006AA40 ,  4F006AB73 ,  4F006BA07 ,  4F006CA08 ,  4F006DA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA04 ,  4K030BA08 ,  4K030BA09 ,  4K030BA11 ,  4K030BA15 ,  4K030BA16 ,  4K030BA21 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030GA04 ,  4K030HA04 ,  4K030JA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB26 ,  4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104DD86 ,  5F053AA06 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053GG03 ,  5F053LL05 ,  5F053PP03 ,  5F053RR04 ,  5F058BA10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BF46 ,  5F058BH16
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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