特許
J-GLOBAL ID：200903021171429199
半導体基板上にモノリシック集積化された三波長半導体レーザアレイ装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-036728
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228945
出願日： 2004年02月13日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】青色レーザと基板材料のミスマッチングを緩和し、一つの基板上に3種の半導体レーザ素子、すなわち赤色レーザ素子、赤外レーザ素子および青色レーザ素子を集積化した三波長半導体レーザアレイ装置を提供する。【解決手段】半導体基板上にモノリシックに赤色レーザ素子、赤外レーザ素子および青色レーザ素子が集積化された三波長半導体レーザアレイ装置において、半導体基板と青色レーザ素子との間にI-III-VI族化合物半導体、II-III-VI族化合物半導体、およびII-III-V族化合物半導体からなる群の中から選ばれる少なくとも1種の化合物半導体を含むバッファ層を設けたことを特徴とする三波長半導体レーザアレイ装置。【選択図】 図25
請求項（抜粋）：
半導体基板上にモノリシックに赤色レーザ素子、赤外レーザ素子および青色レーザ素子が集積化された三波長半導体レーザアレイ装置において、前記半導体基板と前記青色レーザ素子との間にI-III-VI族化合物半導体、II-III-VI族化合物半導体、およびII-III-V族化合物半導体からなる群の中から選ばれる少なくとも1種の化合物半導体を含むバッファ層を設けたことを特徴とする三波長半導体レーザアレイ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073AB06
, 5F073BA05
, 5F073CA05
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB04
, 5F073CB09
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA23
, 5F073FA14
, 5F073FA27
出願人引用 (3件)
審査官引用 (9件)
全件表示
前のページに戻る
