特許
J-GLOBAL ID：200903087426554082
半導体光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320240
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181386
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 高効率な短波長半導体光素子を実現する。【構成】 GaAs基板1上に例えばアンモニア雰囲気中で高温でアニールすることにより表面窒化層2を作製する。その後、有機金属気相成長法によりn-Al0.2Ga0.8N第1クラッド層3、GaN/Al0.2Ga0.8N多重量子井戸活性層4、p-Al0.2Ga0.8N第2クラッド層5、p-GaNコンタクト層6を連続的に形成する。続いてSiO2絶縁膜7を堆積して電流注入のためのストライプ状の開口をエッチングにより形成する。最後にアノード電極8、カソード電極9を形成する。この半導体レーザのGaAs基板1からGaNコンタクト層6まではすべて閃亜鉛鉱型結晶により構成されている。【効果】 閃亜鉛鉱型GaN系材料では量子効果や2軸性歪等を制御することによりホールの状態密度を大きく低減させることが可能となり、発光素子の効率を格段に向上させることができる。
請求項（抜粋）：
AlGaInN系化合物半導体から成る発光素子において、少なくとも活性層が閃亜鉛鉱構造であることを特徴とする半導体光素子。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 29/06
, H01L 33/00
