特許
J-GLOBAL ID：200903021186760908
欠陥密度が低い単結晶シリコンから得られるシリコン・オン・インシュレーター構造体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-568105
公開番号（公開出願番号）：特表2002-524845
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2002年08月06日
要約：
【要約】本発明は、欠陥密度が低いデバイス層を有し、かつ改良されたゲッタリング能を必要に応じて有するハンドルウエハを有するシリコン・オン・インシュレーター(「SOI」)構造体に関する。デバイス層は、中心軸、周囲縁、中心軸から周囲縁まで伸びる半径、および凝集した真性点欠陥を実質的に含まない第1の軸対称領域を有する。さらに、本発明は、本質的に任意のいずれかの電子デバイス製造プロセスの熱処理サイクルに供されたときに酸素析出物の一様でない理想的な深さ分布が形成され得るチョクラルスキー単結晶シリコンのハンドルウエハを有するそのようなSOI構造体に関する。
請求項（抜粋）：
ハンドルウエハ; 中心軸、周囲縁、前記中心軸から前記周囲縁まで伸びる半径、および凝集した真性点欠陥を実質的に含まない第1の軸対称領域を有する単結晶シリコンデバイス層;および 前記ハンドルウエハと前記デバイス層との間にある絶縁層を有してなるシリコン・オン・インシュレーター構造体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/12 B
, H01L 21/322 Y
