特許
J-GLOBAL ID：200903021194782341

絶縁膜とその製造方法及びデバイス並びに電子機器

発明者：
西 義雄

西 義雄 について

, 
西川 尚男

西川 尚男 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡邊 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-093070
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297827
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 low-k膜と従来の絶縁膜とを用いてある微細パターンを作製しようとした場合、その製作工程が複雑になるという問題点がある。【解決手段】 単結晶シリコン基板1上にシラン系化合物2を成膜する。続いて、400°C、450Torrで原料をTEOS、酸化剤をオゾンとするシリコン酸化膜(O3-TEOS膜3)を成膜する。その結果、単結晶シリコン基板1に直接成膜したO3-TEOS膜よりも誘電率の低いO3-TEOS膜を得ることができる。
請求項（抜粋）：
デバイス作製用基板上に成膜された層間絶縁膜として使用される絶縁膜の製造方法であって、デバイス作製用基板の表面を機能化処理する工程と、絶縁膜を成膜する工程とを少なくとも含むことを特徴とする絶縁膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (2件)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 P
Fターム (19件)：
5F033QQ00 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ53 ,  5F033RR04 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033SS10 ,  5F033SS13 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BE10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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