特許

J-GLOBAL ID：200903021304967903

EUVリソグラフィ用マスクブランクの多層膜の成膜方法、およびEUVリソグラフィ用マスクブランクの製造方法

発明者： 生田 順亮 ,  クリック デービッド ,  マ シン チン
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (2件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-511496
公開番号（公開出願番号）：特表2009-510711
出願日： 2006年10月02日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：

イオンビームスパッタリング法を用いて、表面に凹欠点を有する基板上にEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜を成膜する方法であって、前記基板をその中心軸を中心に回転させつつ、前記基板の法線と前記基板に入射するスパッタ粒子とのなす角度αの絶対値を35°≦α≦80°に保持してイオンビームスパッタリングを実施することを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜の成膜方法。

請求項（抜粋）：

イオンビームスパッタリング法を用いて、表面に凹欠点を有する基板上にEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜を成膜する方法であって、 前記基板をその中心軸を中心に回転させつつ、 前記基板の法線と前記基板に入射するスパッタ粒子とがなす角度αの絶対値を35°≦α≦80°に保持してイオンビームスパッタリングを実施することを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜の成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  C23C 14/34

FI (2件)：

H01L21/30 531M ,  C23C14/34 R

Fターム (18件)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA11 ,  4K029BA35 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD09 ,  4K029CA05 ,  4K029CA15 ,  4K029DB02 ,  4K029DB03 ,  4K029DC37 ,  4K029HA00 ,  4K029JA02 ,  5F046GD10 ,  5F046GD11 ,  5F046GD13 ,  5F046GD16

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許6319635号明細書
  
• 米国特許6489066号明細書
  

審査官引用 (8件)

• フォトマスク・ブランク、フォトマスク、フォトマスク・ブランクを製造するための方法と装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-036249   出願人：カール-ツアイス-シュティフツンク
• 擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス及びその製造方法、擬似欠陥を有する反射型マスク及びその製造方法、並びに擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス又は反射型マスクの製造用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-314999   出願人：HOYA株式会社
• 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-217795   出願人：HOYA株式会社
• スパッタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-135242   出願人：シーワイジー技術研究所株式会社
• 特許第6488821号
  
• 選択的材料付着方法、及びそのために使用されるスパッタリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-142657   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• マルチカソードイオン化物理的気相成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-332605   出願人：アネルバ株式会社
• EUVLマスクの多層膜中の振幅欠陥修正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-236941   出願人：エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Advancing the ion beam thin film planarization process for the smoothing of substrate particles
• Developing a viable multilayer coating process for extreme ultravioret lithography reticles