特許
J-GLOBAL ID：200903041223797150

マルチカソードイオン化物理的気相成膜装置

発明者：
スニル ウィクラマナヤカ

スニル ウィクラマナヤカ について

, 
渡辺 直樹

渡辺 直樹 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-332605
公開番号（公開出願番号）：特開2005-097672
出願日： 2003年09月25日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【発明の課題】 傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるマルチカソードイオン化物理的気相成膜装置を提供すること。【解決手段】 本装置は次のように構成される。ウェハーホルダ12がその中心軸周りに回転するようにされて底壁に設けられ、かつウェハーホルダ上に配置されたウェハーに対して少なくとも2つの傾斜されたカソード11a〜11dが上壁に設けられる反応容器10を備え、カソードの各々はrf発生器から整合回路を介してrf電流が供給され、ガス導入部とガス排出部を含む圧力制御機構を備える。当該装置において、反応容器の内部圧力は圧力制御機構によって相対的に高い圧力となるように制御されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
その底壁にウェハーホルダがその中心軸周りに回転するように設けられ、かつ、前記ウェハーホルダ上に配置されたウェハーに対して、その上壁に少なくとも2つの傾斜されたカソードが設けられた反応容器を備え、 前記カソードの各々は整合回路を介してrf発生器からrf電流を供給され、 そして、ガス導入部とガス排出部を含む圧力制御機構を備え、 上記において、前記反応容器の内部圧力は前記圧力制御機構によって相対的に高い圧力になるように制御されるマルチカソードイオン化物理的気相成膜装置。
IPC (4件)：
C23C14/34 ,  C23C14/40 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31
FI (4件)：
C23C14/34 C ,  C23C14/40 ,  H01L21/285 S ,  H01L21/31 D
Fターム (16件)：
4K029AA06 ,  4K029BA41 ,  4K029BA43 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4M104BB13 ,  4M104DD39 ,  4M104HH13 ,  5F045AA19 ,  5F045AB31 ,  5F045BB19 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ10
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 磁性多層膜作製装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-365696   出願人：アネルバ株式会社
審査官引用 (11件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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