特許
J-GLOBAL ID：200903021982423581
冷陰極及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-320030
公開番号（公開出願番号）：特開2001-143601
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 XYアドレス可能な、高耐熱性の基板を有する、信頼性の高い冷陰極及びその製造方法を提供する。【解決手段】 セラミック材料からなる支持基板1とゲート絶縁層3の間にカソード電極2が埋め込まれ、前記ゲート絶縁層3上にゲート電極5が配設され、前記ゲート電極5と前記ゲート絶縁層3に前記カソード電極2上に開口したホール15が形成され、該ホール15内部に前記カソード電極2に形成された電子源4が充填されている。
請求項（抜粋）：
セラミック材料からなる支持基板とゲート絶縁層の間にカソード電極が埋め込まれ、前記ゲート絶縁層上にゲート電極が配設され、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁層に対して前記カソード電極上に開口したホールが形成され、該ホール内部に前記カソード電極に形成された電子源が充填されていることを特徴とする冷陰極。
IPC (4件)：
H01J 1/304
, H01J 9/02
, H01J 29/04
, H01J 31/12
H01J 9/02 B
, H01J 29/04
, H01J 31/12 C
, H01J 1/30 F
5C031DD17
, 5C036EE19
, 5C036EF01
, 5C036EF06
, 5C036EF09
, 5C036EG02
, 5C036EG12
, 5C036EH26
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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