特許
J-GLOBAL ID：200903022026142058

単結晶サファイア基板とその製造方法

発明者：
竹澤 修平

竹澤 修平 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-086693
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282551
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】化学研磨で、単結晶サファイア基板を研磨しても表面粗さは平坦化されているものの、凹凸分布に規則性が見られないため、窒化物半導体をエピタキシャル成長させるのに適していない。【解決手段】サファイア基板の主面上にストライプ状の溝を有し、該溝の側面と主面のなす角度を60°以上90°未満とする。
請求項（抜粋）：
主面上にストライプ状の溝を有し、該溝の側面と主面のなす角度が60°以上90°未満であることを特徴とする単結晶サファイア基板。
IPC (3件)：
H01L 21/308 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (3件)：
H01L 21/308 E ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
Fターム (11件)：
5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043CC02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (10件)
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