MEMS素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-035197
公開番号（公開出願番号）：特開2007-210083
出願日： 2006年02月13日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：

【課題】MEMSデバイスではウエハ接合等の特別な空洞形成及び封止工程が必要なため、歩留まりが低下、コストが増大する。又、LSIプロセスを用いて空洞を形成する場合、蓋となる封止膜の残留応力により大面積の空洞形成が困難だった。MEMSと高性能のLSIを混載した集積化MEMSを実現するのが困難だった。【解決手段】空洞を覆う蓋(又はダイアフラム)にスリット又は梁を設け、空洞形成時にこれを変形させて薄膜内部応力を吸収、緩和する。その後、空洞内部と外部を通じる開口部を埋めることにより空洞を封止する。上記空間は、LSI多層配線の層間膜の一部を除去することにより形成、蓋はLSIプロセス薄膜で構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

空洞、または空洞とその内部に配置された可動体を基板上に有するMEMS素子であって、上記基板上に形成された犠牲層と、上記犠牲層に形成された上記空洞上を覆うように設けられた薄膜からなる蓋と、上記蓋に形成された上記空洞の内部と外部とを通じる開口部を含む領域を埋める封止膜とを有し、上記蓋には、上記薄膜が有する内部応力を開放するスリット、および梁もしくはバネが設置されていることを特徴とするMEMS素子。

IPC (6件)：

B81B 3/00 , H01L 29/84 , B81C 1/00 , H04R 19/04 , H04R 31/00 , H04R 19/00

FI (7件)：

B81B3/00 , H01L29/84 Z , B81C1/00 , H04R19/04 , H04R31/00 C , H04R19/00 330 , H04R31/00 330

Fターム (25件)：

4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112CA31 , 4M112CA32 , 4M112CA33 , 4M112DA02 , 4M112DA03 , 4M112DA09 , 4M112DA15 , 4M112DA18 , 4M112EA03 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA11 , 4M112EA12 , 4M112EA18 , 4M112FA20 , 5D019DD01 , 5D019FF01 , 5D019HH01 , 5D021CC15 , 5D021CC19 , 5D021CC20

引用特許：

出願人引用 (5件)

米国特許第6,635、506B2号明細書
米国特許出願公開第2004/0183214A1号明細書
米国特許第5,596,219号明細書

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審査官引用 (8件)

マイクロメカニズム半導体デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-083047 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
動作素子の真空封止の構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-329738 出願人：株式会社村田製作所
マイクロメカニカルデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-220394 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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