特許
J-GLOBAL ID：200903022853044830
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浜田 満広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-006563
公開番号（公開出願番号）：特開2009-170629
出願日： 2008年01月16日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：
【課題】ベース領域の電圧降下を抑制するために、製造工程が増えてしまう。【解決手段】ドリフト領域の中に複数のトレンチ領域を形成し、当該トレンチ領域間のドリフト領域の中にベース領域を形成する。当該トレンチ領域間の中央部にマスクを形成して不純物をイオン注入し、第1領域および第2領域を互いに離間するように形成する。熱処理し、第1および第2領域の不純物を拡散して、第1領域と第2領域を連結するとともに、熱処理後の第1および第2領域よりも浅い連結領域を形成する。当該第1、第2および連結領域はソース領域となる。ベース領域の断面形状は、連結部分の直下において上方に突き出た形状となり、抵抗が小さくなり、電圧降下が抑制される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基体の中に複数のトレンチ領域を形成し、
前記複数のトレンチ領域間の前記半導体基体の中に第2導電型の半導体領域を形成し、
前記複数のトレンチ領域間の中央部にマスクを形成し、
前記第2導電型の半導体領域の中に第1導電型の不純物をイオン注入して、第1導電型の第1領域および第2領域を互いに離間するように形成し、
熱処理し、前記第1および第2領域の不純物を拡散して、前記第1および第2領域を連結するとともに、熱処理後の前記第1および第2領域よりも浅い連結領域を形成する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 29/739
H01L29/78 658G
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 658Z
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 652D
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
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