特許
J-GLOBAL ID：200903023088316717

配線基板の製造方法

発明者：
清水 久美子

清水 久美子 について

, 
小山 利徳

小山 利徳 について

, 
田中 秀一

田中 秀一 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-008623
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049804
出願日： 2005年01月17日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 微細配線を実現することができる「配線基板の製造方法」を提供すること。【解決手段】 ダマシンプロセスを用いた配線形成工程を含む配線基板の製造方法において、下層配線層10上に形成された層間絶縁層11に、下層配線層11に達するビアホールVHを形成し、その際に生じたスミアSMを除去した後、層間絶縁層11上に、ビアホールVHの上方に位置する所要の配線パターンの形状に従う開口部(配線溝)OPを有するように感光性永久レジスト層12を形成する。次に、全面にシード層13を形成し、ビアホールVH及び開口部(配線溝)OPの内部を充填するようにしてシード層13上に導体層14を形成した後、感光性永久レジスト層12が露出するまで導体層14の表面を研磨して平坦化し、配線パターン15を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ダマシンプロセスを用いた配線形成工程を含む配線基板の製造方法であって、 前記配線形成工程が、 下層配線層上に形成された層間絶縁層に、前記下層配線層に達するビアホールを形成する工程と、 前記ビアホールの形成の際に生じたスミアを除去するデスミア工程と、 前記層間絶縁層上に、前記ビアホールの上方に位置する所要の配線パターンの形状に従う開口部を有するように感光性永久レジスト層を形成する工程と、 前記ビアホール及び前記開口部に導体を埋め込むようにして前記配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (8件)：
H05K 3/40 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/26 ,  H05K 3/28 ,  H05K 3/38 ,  H05K 3/42 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/12
FI (11件)：
H05K3/40 K ,  H05K3/18 A ,  H05K3/18 K ,  H05K3/26 F ,  H05K3/28 D ,  H05K3/28 F ,  H05K3/38 A ,  H05K3/42 610A ,  H05K3/42 630A ,  H01L21/90 A ,  H01L23/12 N
Fターム (58件)：
5E314AA27 ,  5E314BB10 ,  5E314CC01 ,  5E314CC15 ,  5E314DD07 ,  5E314DD08 ,  5E314EE02 ,  5E314EE03 ,  5E314GG17 ,  5E317AA24 ,  5E317BB12 ,  5E317CC23 ,  5E317CC25 ,  5E317CC32 ,  5E317CC33 ,  5E317CD01 ,  5E317CD05 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E317GG14 ,  5E343AA36 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343BB71 ,  5E343CC67 ,  5E343DD44 ,  5E343DD63 ,  5E343EE38 ,  5E343FF01 ,  5E343FF07 ,  5E343FF16 ,  5E343FF23 ,  5E343GG08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033TT03 ,  5F033XX03 ,  5F033XX14
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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