フォトレジスト組成物

発明者： , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-128938
公開番号（公開出願番号）：特開2004-046098
出願日： 2003年05月07日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】少なくとも1つのメタアクリレートモノマーを有するポリマーを含むフォトレジスト組成物を提供する。また、そのフォトレジスト組成物を用いた基板をパターニングする方法を提供する。【解決手段】フォトレジスト組成物は、下記構造のメタアクリレートモノマーを含み、R1は、水素(H)、直鎖または分岐鎖の炭素数1〜20のアルキル基、または、セミフルオロ化またはパーフルオロ化された直鎖または分岐鎖の炭素数1〜20のアルキル基を表し、R2は、置換脂肪族基の各炭素に結合された0または1つのトリフルオロメチル基(CF3)を有する非置換脂肪族基または置換脂肪族基、または、置換芳香族基または非置換芳香族基を表し、R3は、水素(H)、メチル基(CH3)、トリフルオロメチル基(CF3)、ジフルオロメチル基(CHF2)、フルオロメチル基(CH2F)を表す。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ポリマーを含むフォトレジスト組成物であって、前記ポリマーは、下記構造

IPC (4件)：

G03F7/038 , C08F20/22 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (4件)：

G03F7/038 601 , C08F20/22 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (35件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CC04 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025FA10 , 2H025FA17 , 4J100AL03Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100BA02Q , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BB17P , 4J100BC03Q , 4J100BC08P , 4J100BC09Q , 4J100BC49Q , 4J100BC53Q , 4J100BC54Q , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100FA03 , 4J100FA19 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (8件)

感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-093332 出願人：日本合成ゴム株式会社
化学増幅型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-332641 出願人：住友化学工業株式会社
ネガ型レジスト組成物、レジストパターンの形成方法及び電子デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-257661 出願人：富士通株式会社

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